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凹陷设计，冠宇专利的“泄压阀”方案 2025年5月，国家知识产权局公开了珠海冠宇电池股份有限公司的一项新专利—— “硅碳颗粒、负极片和电池”（公开号CN119890255A）。这项专利申请于2024年12月，直指硅基负极膨胀问题的核心。 专利的核心创新点在于硅碳颗粒表面的特殊结构设计。根据专利摘要，该硅碳颗粒表面具有数量不少于1个的凹陷部，这些凹陷部的直径在0.05μm至5μm之间，深度在10nm至5μm之间。 这些微小的凹陷结构如同在硅碳颗粒表面设置的“泄压阀”，为硅材料在充放电过程中的体积